無帰還(Non-NFB)アンプ作製 プロジェクト その7

 ヒートシンクを改善しました

 無帰還アンプの調整会で、ヒートシンクの熱容量が足りないとのアドバイスをいただきました。
 アイドリング電流を限界まで流すのでは無く、このヒートシンクの規模に合わせて、電流値を決めることにしました。
 FETを取り付ける際、シリコン・ブッシュを取り付けて絶縁シートを挟むと、固定が心もとなく、ステディーに取り付けることが出来ません。 そこで、以下の様に5㎜厚のプレッシング・プレートで締め上げる事にしました。

未だ絶縁シートを貼る前です。
DSC00437.jpg

 固定は三個所の螺子を微調節して、各半導体に均等に圧力が掛かるように調整します。
 この方法は、欧州の銘アンプで良く用いる方法で、ジュリアン・ベーカー(ここ)が設計したNaimのアンプ等、英国のアンプに広く用いられています。
以下のNaim NAIT XSで矢印の部分が、FETをヒートシンクに押さえつけている黒いアルミ・ブロックです。
naim-NAIT-XS.jpg
 
 半導体を押し付けると、「息苦しい音」がすると、非科学的なことを言う方がいますが、私には理解できません。

 明日からは、電源部分と入力部分の配線で、いよいよ最終工程です。

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No title

 このようなプレートは放熱にも振動対策にも良いのでお勧めです。
 放熱の具合は温度上昇をみてバイアス電流を決めればよいと思います。熱くなっても半導体は結構丈夫ですよ。出来ればチャンと温度計測をして科学的?に判断するのがベターです。

Re: No title

 コメント有難うございます。

 TO3Pの止める穴が、上では無く左右の中程に有れば、この様な工夫は不要だと思います。TO3Pは変なデザインですね。

 次回の調整会では、負荷を掛けて温度測定を行いながらバイアス電流の調整を行います。
 ダミー抵抗は有るので、温度が測れるテスターを入手せねば・・・