無帰還(Non-NFB)アンプ作製 プロジェクト その4

エリミネーター(eliminator)の準備
 無帰還アンプの作製も終盤に近づき、エリミネーターの作製を始めました。
 今回の無帰還アンプの要求電源は、電圧増幅段:45V/18VA二電源、パワー増幅段:25V/160VA二電源です。
DSC00374.jpg
 電圧増幅段は、DC45V二電源ですので、AC35V二電源を整流・平滑を行います。 AC電源を整流して平滑すると、サイン波の最大値付近のDCを得ることが出来ます。実際には、ダイオードでの損失があり、√2≒1.4倍では無く、1.3倍程度となり以下の様にDC電源を得ることができます。

 ドライバー段 :AC35V×1.3≒DC46V
 パワー増幅段:AC21V×1.3≒DC27V

  予定では25Vとしたかったのですが、手頃なトランスが見つからず、2V程高いですが、チョークで電圧降下を期待しつつ、ドライバー段のバイアスを司るツェナーダイオードの設定で、問題を回避を考えています。

 整流素子として、ショットキーバリアダイオード(SBD)を使いたかったのですが、電圧が少々高めなので今回は極普通のシリコン・ダイオードのブリッジとしました。SBDを使うと整流時の損失が少なく29V程度になり、益々整流後の電圧が高くなってしまいます。

平滑回路のコンデンサ容量
 コンデンサの容量は以下のとおりで、一寸少ないかな?と思いますが、試聴を繰り返して、必要に応じて増強する予定です。
 先ずは、音出しの環境を整える事が先決です。

 ドライバー段:  4,700μF/63V耐圧×2  9,400μF×二電源
 パワー増幅段:12,000μF/35V耐圧×2 24,000μF×二電源

放熱対策
 整流ダイオードが熱を帯びる程、電流を連続して流すことは、調整段階以外に無いと思いますが、安全をみてパワー増幅段のダイオードブリッジにアルミブロックを放熱シートを介在して取り付けました。
 ドライバー段は、要求電力が18VA/0.4Aなので、特段の放熱対策は必要無いと思います。
DSC00377.jpg

安全対策
 パワー増幅段の過負荷によるオーバーカーレントに対しては、整流のブリッジダイオードの耐圧が低く4Aですので、その時はこのブリッジがパンク(損傷)して、ヒューズ代わりとなります。
 又、コンデンサーに電荷がチャージされている事を忘れて、ドライバー、テスター棒で短絡して、先を熔かす過ちが多々有りますので、LEDのパイロット・ランプを設けて、チャージ状態を表示します。
DSC00380.jpg

今後の予定
 次は、カティング・ボードの設計と端子盤の加工を行う予定です。

コメントの投稿

非公開コメント